MEMS形貌测量
日期：2021-09-01
来源：九游会J9
测量要求
扫描MEMS芯片表面三维形貌，提取profile测量其上表面刻蚀的一些段差
主要特点概览
1.非接触式测量，一体化设计
2.三维形貌扫描，多功能数据处理
3.适用于各种材料的精确测量
4.使用简单，装拆方便
5.扫描速度快，定位精度高
6.±0.5到±1μm重复精度保证
7.稳定性高，抗干扰能力强
测量结果
上表面刻蚀的段差高度约为300μm左右
解决现阶段测量装置存在的问题
1.对测量材料有一定要求
2.接触式测量，对测量材料有损坏
3.测量范围小，位置不确定，测定困难
4.测量速度慢、精度低，测量误差大
5.结构复杂，成本高
